Технічний опис IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Інші пропозиції IPP60R180CM8XKSA1 за ціною від 68.71 грн до 210.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IPP60R180CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 83.91 грн |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 135.49 грн |
| 9000+ | 123.81 грн |
| 13500+ | 115.20 грн |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 146.07 грн |
| 10+ | 101.32 грн |
| 50+ | 100.31 грн |
| 100+ | 91.83 грн |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 146.07 грн |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.45 грн |
| 10+ | 131.42 грн |
| 50+ | 100.58 грн |
| 100+ | 85.07 грн |
| 500+ | 68.71 грн |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)