Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R180CM8XKSA1
IPP60R180CM8XKSA1

IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP60R180CM8XKSA1 за ціною від 78.76 грн до 239.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.66 грн
50+81.87 грн
100+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+116.00 грн
16000+106.00 грн
24000+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c26db7824a2 Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.39 грн
50+114.40 грн
100+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R180CM8_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 INFINEON 4379499.pdf Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf
IPP60R180CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.66 грн
50+81.87 грн
100+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf
IPP60R180CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+116.00 грн
16000+106.00 грн
24000+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 Infineon-IPP60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c26db7824a2
IPP60R180CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.39 грн
50+114.40 грн
100+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 Infineon_IPP60R180CM8_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP60R180CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 4379499.pdf
IPP60R180CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.