Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R180CM8XKSA1
IPP60R180CM8XKSA1

IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+79.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPP60R180CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R180CM8XKSA1 за ціною від 56.14 грн до 172.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R180CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445916.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.55 грн
10+123.23 грн
100+84.52 грн
500+71.23 грн
1000+60.97 грн
2500+58.03 грн
5000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP60R180CM8XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.