Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R180P7XKSA1
IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
366+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP60R180P7XKSA1 за ціною від 58.57 грн до 192.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+116.75 грн
500+104.46 грн
1000+96.63 грн
10000+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+116.75 грн
500+104.46 грн
1000+96.63 грн
10000+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+167.75 грн
10+99.28 грн
100+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.14 грн
50+73.03 грн
100+65.91 грн
500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+172.05 грн
93+132.72 грн
127+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+181.18 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.43 грн
10+133.54 грн
100+106.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R180P7_DS_v02_03_EN-3362652.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.84 грн
10+160.44 грн
25+73.47 грн
100+70.44 грн
500+63.01 грн
1000+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r180p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.