Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R180P7XKSA1
IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.63 грн
50+130.32 грн
100+119.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IPP60R180P7XKSA1 за ціною від 58.28 грн до 227.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.63 грн
109+130.32 грн
119+119.59 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.15 грн
10+112.76 грн
50+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 14078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.05 грн
50+108.77 грн
100+98.15 грн
500+74.63 грн
1000+69.02 грн
2000+64.30 грн
5000+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R180P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 INFINEON 2362697.pdf Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+131.63 грн
109+130.32 грн
119+119.59 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
10000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 infineonipp60r180p7dsv0203en.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.15 грн
10+112.76 грн
50+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 14078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.05 грн
50+108.77 грн
100+98.15 грн
500+74.63 грн
1000+69.02 грн
2000+64.30 грн
5000+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon_IPP60R180P7_DS_v02_03_EN.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 2362697.pdf
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.