Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R190C6XKSA1

IPP60R190C6XKSA1

IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
Код товару: 189626
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R190C6XKSA1 за ціною від 78.54 грн до 268.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.62 грн
50+181.78 грн
100+163.56 грн
500+125.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.00 грн
78+182.16 грн
100+163.89 грн
500+125.62 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.12 грн
50+130.56 грн
100+118.19 грн
500+90.57 грн
1000+84.04 грн
2000+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R190C6_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.62 грн
50+181.78 грн
100+163.56 грн
500+125.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+184.00 грн
78+182.16 грн
100+163.89 грн
500+125.62 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6-DTE.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.12 грн
50+130.56 грн
100+118.19 грн
500+90.57 грн
1000+84.04 грн
2000+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 Infineon_IPP60R190C6_DS_v02_03_EN.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 infineonipb60r190c6dsv0203en.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.