IPP60R190E6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.25 грн |
| 50+ | 122.87 грн |
| 100+ | 111.16 грн |
| 500+ | 85.05 грн |
| 1000+ | 78.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R190E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R190E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPP60R190E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |