IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 75.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP60R190P6XKSA1 за ціною від 70.58 грн до 224.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Power dissipation: 151W Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 6661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Power dissipation: 151W Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 Код товару: 155590
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |