Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R190P6XKSA1

IPP60R190P6XKSA1

DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7
Код товару: 155590
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R190P6XKSA1 за ціною від 61.45 грн до 283.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.04 грн
10+99.26 грн
50+94.17 грн
100+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+131.21 грн
1000+108.11 грн
2500+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.37 грн
10+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 10727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.13 грн
50+101.29 грн
100+91.46 грн
500+69.66 грн
1000+64.46 грн
2000+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R190P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.91 грн
10+120.77 грн
100+94.45 грн
500+76.12 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON INFNS27617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.11 грн
10+123.34 грн
100+111.83 грн
500+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.90 грн
96+148.39 грн
105+135.19 грн
500+109.10 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.08 грн
10+148.55 грн
100+134.67 грн
500+106.51 грн
1000+92.33 грн
2500+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.63 грн
96+148.86 грн
105+134.94 грн
500+106.72 грн
1000+92.51 грн
2500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+116.04 грн
10+99.26 грн
50+94.17 грн
100+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+131.21 грн
1000+108.11 грн
2500+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.37 грн
10+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
219+161.47 грн
500+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 10727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.13 грн
50+101.29 грн
100+91.46 грн
500+69.66 грн
1000+64.46 грн
2000+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 Infineon_IPX60R190P6_DS_v02_02_EN.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+217.91 грн
10+120.77 грн
100+94.45 грн
500+76.12 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 INFNS27617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+240.11 грн
10+123.34 грн
100+111.83 грн
500+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
53+269.90 грн
96+148.39 грн
105+135.19 грн
500+109.10 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+283.08 грн
10+148.55 грн
100+134.67 грн
500+106.51 грн
1000+92.33 грн
2500+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+283.63 грн
96+148.86 грн
105+134.94 грн
500+106.72 грн
1000+92.51 грн
2500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.