Інші пропозиції IPP60R190P6XKSA1 за ціною від 68.50 грн до 288.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 151W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 20.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.19Ω |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 10048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
на замовлення 5240 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 69.73 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 132.09 грн |
| 1000+ | 108.84 грн |
| 2500+ | 103.25 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.74 грн |
| 10+ | 113.31 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 170.86 грн |
| 500+ | 154.24 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 151W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 20.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.19Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 151W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 20.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 194.64 грн |
| 10+ | 139.47 грн |
| 13+ | 75.10 грн |
| 35+ | 70.97 грн |
| 500+ | 70.15 грн |
| 1000+ | 68.50 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.02 грн |
| 10+ | 147.73 грн |
| 50+ | 113.67 грн |
| 100+ | 96.38 грн |
| 500+ | 78.33 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.02 грн |
| 10+ | 129.52 грн |
| 100+ | 97.27 грн |
| 500+ | 81.18 грн |
| 2500+ | 78.98 грн |
| 5000+ | 76.79 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 272.50 грн |
| 88+ | 163.08 грн |
| 100+ | 148.28 грн |
| 500+ | 117.21 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 274.20 грн |
| 10+ | 163.98 грн |
| 100+ | 149.07 грн |
| 500+ | 117.82 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 274.20 грн |
| 87+ | 163.98 грн |
| 100+ | 149.07 грн |
| 500+ | 117.82 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 287.11 грн |
| 87+ | 164.65 грн |
| 100+ | 148.85 грн |
| 500+ | 116.48 грн |
| 1000+ | 94.61 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 287.23 грн |
| 87+ | 164.69 грн |
| 100+ | 148.87 грн |
| 500+ | 116.49 грн |
| 1000+ | 99.46 грн |
| 2500+ | 93.42 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 288.22 грн |
| 10+ | 165.26 грн |
| 100+ | 149.39 грн |
| 500+ | 116.89 грн |
| 1000+ | 99.81 грн |
| 2500+ | 93.74 грн |
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







