Інші пропозиції IPP60R199CPXKSA1 за ціною від 89.30 грн до 299.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPP60R199CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |