Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP60R199CPXKSA1
IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897
Код товару: 116583
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP60R199CPXKSA1 за ціною від 90.92 грн до 305.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.80 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.22 грн
10+173.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R199CP_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.98 грн
10+145.09 грн
500+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.63 грн
10+148.01 грн
100+128.28 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897 Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
99+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+176.80 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP-DTE.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.22 грн
10+173.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 Infineon_IPP60R199CP_DS_v02_03_en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+286.98 грн
10+145.09 грн
500+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+288.63 грн
10+148.01 грн
100+128.28 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+305.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.