Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R1K4C6XKSA1
IPP60R1K4C6XKSA1

IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies

DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R1K4C6XKSA1 за ціною від 29.97 грн до 31.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp60r1k4c6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
962+31.72 грн
1018+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 962
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R1K4C6-DS-v02_00-en-1026498.pdf MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS19164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R1K4C6XKSA1 - IPP60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
802+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 802
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp60r1k4c6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.