IPP60R250CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 179.38 грн |
| 500+ | 170.21 грн |
| 1000+ | 160.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R250CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R250CPXKSA1 за ціною від 155.04 грн до 284.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP60R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |