Технічний опис IPP60R299CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R299CPXKSA1 за ціною від 79.14 грн до 292.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R299CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 96W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 107.90 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 107.90 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 125.28 грн |
| 10+ | 119.36 грн |
| 50+ | 107.51 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 158.51 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.17 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.90 грн |
| 50+ | 108.34 грн |
| 100+ | 97.88 грн |
| 500+ | 79.14 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 291.39 грн |
| 97+ | 146.91 грн |
| 108+ | 131.55 грн |
| 500+ | 102.19 грн |
| 1000+ | 86.75 грн |
| IPP60R299CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 292.34 грн |
| 50+ | 147.38 грн |
| 100+ | 131.98 грн |
| 500+ | 102.52 грн |
| 1000+ | 87.02 грн |