IPP60R299CPXKSA1

IPP60R299CPXKSA1 Infineon Technologies


infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R299CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R299CPXKSA1 за ціною від 74.42 грн до 270.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+139.61 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.65 грн
4+126.67 грн
9+104.51 грн
25+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.98 грн
3+157.86 грн
9+125.41 грн
25+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e4194498b Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.45 грн
50+108.26 грн
100+97.75 грн
500+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+248.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp60r299cp_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp60r299cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R299CP-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.