IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CFD7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 5A, Power dissipation: 43W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 674mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 24A.
Інші пропозиції IPP60R360CFD7XKSA1 за ціною від 55.89 грн до 143.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPP60R360CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
MOSFETs Y
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.90 грн |
| 10+ | 118.34 грн |
| 100+ | 81.76 грн |
| 250+ | 75.42 грн |
| 500+ | 68.16 грн |
| 1000+ | 58.78 грн |
| 2500+ | 55.89 грн |