IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.86 грн |
| 6+ | 81.43 грн |
| 10+ | 70.63 грн |
| 50+ | 58.17 грн |
| 100+ | 52.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 6A, Power dissipation: 41W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції IPP60R360P7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R360P7 | Infineon |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R360P7 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)