IPP60R360P7XKSA1

IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP60R360P7XKSA1 за ціною від 38.32 грн до 148.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+63.29 грн
194+62.97 грн
200+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.20 грн
171+71.29 грн
250+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+91.95 грн
10+77.68 грн
100+65.77 грн
250+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2362696.pdf Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.73 грн
13+65.37 грн
100+58.54 грн
500+43.19 грн
1000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R360P7_DS_v02_03_EN-3362566.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.13 грн
10+83.39 грн
100+64.36 грн
500+51.52 грн
1000+43.81 грн
5000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be590fa3cc2 Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.46 грн
50+69.17 грн
100+61.96 грн
500+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.