IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.23 грн
183+77.82 грн
500+65.60 грн
1000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.

Інші пропозиції IPP60R360P7XKSA1 за ціною від 47.03 грн до 176.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
6+81.43 грн
10+70.63 грн
50+58.17 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.98 грн
169+84.10 грн
500+68.39 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.13 грн
10+80.34 грн
100+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.13 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.78 грн
10+86.85 грн
100+77.48 грн
500+62.98 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
50+76.19 грн
100+68.34 грн
500+51.19 грн
1000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.76 грн
10+96.98 грн
100+84.10 грн
500+65.95 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.83 грн
10+100.19 грн
100+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.83 грн
142+100.19 грн
164+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R360P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON 2362696.pdf Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.86 грн
6+81.43 грн
10+70.63 грн
50+58.17 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.98 грн
169+84.10 грн
500+68.39 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.13 грн
10+80.34 грн
100+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.13 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.78 грн
10+86.85 грн
100+77.48 грн
500+62.98 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
50+76.19 грн
100+68.34 грн
500+51.19 грн
1000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.76 грн
10+96.98 грн
100+84.10 грн
500+65.95 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.83 грн
10+100.19 грн
100+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+176.83 грн
142+100.19 грн
164+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 Infineon_IPP60R360P7_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 2362696.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.