IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPP60R360P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+71.27 грн
10+63.63 грн
50+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R360P7XKSA1 за ціною від 38.69 грн до 153.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R360P7_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+75.95 грн
100+53.43 грн
500+44.97 грн
1000+39.61 грн
2500+39.54 грн
5000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.04 грн
50+71.03 грн
100+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 Infineon_IPP60R360P7_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+75.95 грн
100+53.43 грн
500+44.97 грн
1000+39.61 грн
2500+39.54 грн
5000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 infineon-ipp60r360p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.04 грн
50+71.03 грн
100+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.