IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 87.23 грн |
| 183+ | 77.82 грн |
| 500+ | 65.60 грн |
| 1000+ | 54.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.
Інші пропозиції IPP60R360P7XKSA1 за ціною від 47.03 грн до 176.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.86 грн |
| 6+ | 81.43 грн |
| 10+ | 70.63 грн |
| 50+ | 58.17 грн |
| 100+ | 52.35 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 96.98 грн |
| 169+ | 84.10 грн |
| 500+ | 68.39 грн |
| 1000+ | 56.74 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 109.13 грн |
| 10+ | 80.34 грн |
| 100+ | 73.47 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.13 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 131.78 грн |
| 10+ | 86.85 грн |
| 100+ | 77.48 грн |
| 500+ | 62.98 грн |
| 1000+ | 50.26 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.32 грн |
| 50+ | 76.19 грн |
| 100+ | 68.34 грн |
| 500+ | 51.19 грн |
| 1000+ | 47.03 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 170.76 грн |
| 10+ | 96.98 грн |
| 100+ | 84.10 грн |
| 500+ | 65.95 грн |
| 1000+ | 52.54 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 176.83 грн |
| 10+ | 100.19 грн |
| 100+ | 86.85 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 176.83 грн |
| 142+ | 100.19 грн |
| 164+ | 86.85 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







