IPP60R380C6 INFINEON


INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-220 09+
на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R380C6 INFINEON

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції IPP60R380C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP60R380C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6 IPP60R380C6 Infineon Technologies Infineon-IPP60R380C6-DataSheet-v02_04-EN-1227239.pdf MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6 INFN-S-A0004583381-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R380C6 Infineon-IPP60R380C6-DataSheet-v02_04-EN-1227239.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.