IPP60R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 286+ | 78.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP60R380E6XKSA1 за ціною від 74.76 грн до 188.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380E6XKSA1 - IPP60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP60R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |