
IPP60R385CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
320+ | 95.14 грн |
500+ | 91.09 грн |
1000+ | 86.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R385CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R385CPXKSA1 за ціною від 80.65 грн до 115.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IPP60R385CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |