IPP60R520C6XKSA1

IPP60R520C6XKSA1 Infineon Technologies


IPP60R520C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123e68d6824590e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 28550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R520C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R520C6XKSA1 за ціною від 59.12 грн до 82.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+82.85 грн
500+74.56 грн
1000+68.77 грн
10000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+82.85 грн
500+74.56 грн
1000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+82.85 грн
500+74.56 грн
1000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4227ipd60r520c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+82.85 грн
500+74.56 грн
1000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R520C6-DS-v02_02-EN-1225937.pdf MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001300323-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520C6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945E47B46B31BF&compId=IPP60R520C6-DTE.pdf?ci_sign=2631e395f3c3a1fbc28072667d6e48d6233109a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP60R520C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123e68d6824590e Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945E47B46B31BF&compId=IPP60R520C6-DTE.pdf?ci_sign=2631e395f3c3a1fbc28072667d6e48d6233109a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.