IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 370+ | 83.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8.1A, Power dissipation: 66W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.52Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP60R520E6XKSA1 за ціною від 62.99 грн до 83.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |