
IPP60R600C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 22376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
413+ | 74.04 грн |
500+ | 66.65 грн |
1000+ | 61.46 грн |
10000+ | 52.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R600C6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.3A, Power dissipation: 63W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPP60R600C6XKSA1 за ціною від 61.46 грн до 74.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPP60R600C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |