IPP60R600E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R600E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.3A, Power dissipation: 63W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP60R600E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 529 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IPP60R600E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP60R600E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R600E6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.