IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 102154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 494+ | 46.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R600P6XKSA1 за ціною від 50.55 грн до 53.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 19154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 83000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 9479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPP60R600P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |