Продукція > INFINEON > IPP60R600P7XKSA1

IPP60R600P7XKSA1 INFINEON


2362695.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R600P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 6, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 30, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS P7, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPP60R600P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R600P7_DS_v02_05_EN-3362678.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 Infineon_IPP60R600P7_DS_v02_05_EN-3362678.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.