
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.68 грн |
10+ | 169.21 грн |
100+ | 121.39 грн |
500+ | 44.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R600P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPP60R600P7XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |