IPP60R600P7XKSA1

IPP60R600P7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPP60R600P7_DS_v02_05_EN-3362678.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.68 грн
10+169.21 грн
100+121.39 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R600P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R600P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r600p7-ds-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r600p7-ds-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r600p7-ds-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P7XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5beed8a13f5a Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.