IPP60R750E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R750E6XKSA1 - IPP60R750 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R750E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R750E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R750E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP60R750E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |