IPP65R045C7XKSA1

IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies


ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP65R045C7XKSA1 за ціною від 368.37 грн до 909.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+459.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+644.21 грн
50+614.07 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27211-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+761.28 грн
5+642.52 грн
10+523.75 грн
50+447.47 грн
100+375.70 грн
250+368.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP65R045C7-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+814.84 грн
10+531.67 грн
100+421.19 грн
500+383.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+842.80 грн
25+724.22 грн
50+535.85 грн
100+454.89 грн
250+422.55 грн
500+405.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.93 грн
50+493.61 грн
100+456.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+909.76 грн
10+902.90 грн
25+775.86 грн
50+574.06 грн
100+487.33 грн
250+452.67 грн
500+434.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1
Код товару: 101820
Додати до обраних Обраний товар

DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB93B1544DB51BF&compId=IPP65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=9a69c5defdebe05376b0727807904645fe24291c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB93B1544DB51BF&compId=IPP65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=9a69c5defdebe05376b0727807904645fe24291c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.