IPP65R045C7XKSA1


DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
Код товару: 101820
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP65R045C7XKSA1 за ціною від 426.92 грн до 977.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+529.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+741.79 грн
50+707.08 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.24 грн
50+461.16 грн
100+426.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+970.46 грн
25+833.91 грн
50+617.01 грн
100+523.79 грн
250+486.54 грн
500+467.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.72 грн
10+970.35 грн
25+833.82 грн
50+616.94 грн
100+523.74 грн
250+486.49 грн
500+467.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 INFINEON DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP65R045C7_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+529.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+741.79 грн
50+707.08 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+848.24 грн
50+461.16 грн
100+426.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+970.46 грн
25+833.91 грн
50+617.01 грн
100+523.79 грн
250+486.54 грн
500+467.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 infineonipp65r045c7dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+977.72 грн
10+970.35 грн
25+833.82 грн
50+616.94 грн
100+523.74 грн
250+486.49 грн
500+467.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 Infineon_IPP65R045C7_DS_v02_01_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.