IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 521.35 грн |
| 28+ | 444.26 грн |
| 50+ | 435.13 грн |
| 100+ | 418.62 грн |
| 200+ | 386.70 грн |
| 500+ | 343.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R065C7XKSA1 за ціною від 275.86 грн до 575.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP65R065C7XKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |