IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 510.52 грн |
| 50+ | 265.33 грн |
| 100+ | 243.45 грн |
| 500+ | 199.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R065C7XKSA1 за ціною від 370.09 грн до 544.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |