IPP65R075CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R075CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPP65R075CFD7AAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP65R075CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP65R075CFD7AAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.


