Технічний опис IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPP65R110CFD7XKSA1 за ціною від 105.72 грн до 310.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP65R110CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 196.83 грн |
| 500+ | 186.22 грн |
| 1000+ | 176.79 грн |
| IPP65R110CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 196.83 грн |
| 500+ | 186.22 грн |
| IPP65R110CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.14 грн |
| 10+ | 162.11 грн |
| 100+ | 130.39 грн |
| 500+ | 107.84 грн |
| 1000+ | 105.72 грн |
| IPP65R110CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.83 грн |
| 10+ | 197.92 грн |