Продукція > INFINEON > IPP65R110CFD7XKSA1
IPP65R110CFD7XKSA1

IPP65R110CFD7XKSA1 INFINEON

Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.72 грн
10+180.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R110CFD7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP65R110CFD7XKSA1 за ціною від 114.55 грн до 333.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.20 грн
10+175.65 грн
100+141.28 грн
500+116.84 грн
1000+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+331.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.74 грн
50+184.11 грн
100+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf SP005413367
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.