IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 517.55 грн |
| 10+ | 405.25 грн |
| 25+ | 314.87 грн |
| 100+ | 275.14 грн |
| 250+ | 250.13 грн |
| 500+ | 216.29 грн |
| 2500+ | 213.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP65R110CFDAAKSA1 за ціною від 413.96 грн до 763.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R110CFDAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP65R110CFDAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP65R110CFDAAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |