Продукція > INFINEON > IPP65R110CFDAAKSA1
IPP65R110CFDAAKSA1

IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON

INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.69 грн
10+262.63 грн
100+252.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP65R110CFDAAKSA1 за ціною від 212.83 грн до 761.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en-1731959.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO220-3
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.31 грн
10+404.27 грн
25+314.11 грн
100+274.48 грн
250+249.53 грн
500+215.77 грн
2500+212.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+761.74 грн
19+659.30 грн
50+598.44 грн
100+530.12 грн
200+462.77 грн
500+412.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.