IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.73 грн |
| 10+ | 293.42 грн |
| 100+ | 233.30 грн |
| 500+ | 190.30 грн |
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Технічний опис IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP65R110CFDAAKSA1 за ціною від 302.61 грн до 504.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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IPP65R110CFDAAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IPP65R110CFDAAKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
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| 2+ | 504.89 грн |
| 10+ | 330.56 грн |
| 100+ | 302.61 грн |




