Продукція > INFINEON > IPP65R110CFDXKSA1

IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON

Name: IPP65R110CFDXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 402818-6
Price: 1133.67 UAH
Availability: InStock

INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	377.89 грн
10+	295.56 грн
100+	230.52 грн
500+	185.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CF2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPP65R110CFDXKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP65R110CFDXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP65R110CFDXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 277.8W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP65R110CFDXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP65R110CFDXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 277.8W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.