IPP65R125C7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 276.82 грн |
| 10+ | 212.94 грн |
| 100+ | 157.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R125C7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R125C7XKSA1 за ціною від 105.30 грн до 390.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |