Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R125C7XKSA1
IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.66 грн
50+157.38 грн
100+148.80 грн
500+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 101W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Інші пропозиції IPP65R125C7XKSA1 за ціною від 112.85 грн до 410.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+331.79 грн
10+305.42 грн
25+154.23 грн
100+142.20 грн
500+115.11 грн
1000+112.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R125C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+366.64 грн
6+180.84 грн
15+170.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+404.27 грн
50+391.58 грн
500+230.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.66 грн
10+398.39 грн
25+229.34 грн
100+202.69 грн
500+151.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+410.71 грн
37+398.44 грн
64+229.37 грн
100+202.71 грн
500+151.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON 1812585.pdf Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.79 грн
10+305.42 грн
25+154.23 грн
100+142.20 грн
500+115.11 грн
1000+112.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7-DTE.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+366.64 грн
6+180.84 грн
15+170.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+404.27 грн
50+391.58 грн
500+230.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+410.66 грн
10+398.39 грн
25+229.34 грн
100+202.69 грн
500+151.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 3625ds_ipp65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+410.71 грн
37+398.44 грн
64+229.37 грн
100+202.71 грн
500+151.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 1812585.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.