IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 126.08 грн |
| 500+ | 118.96 грн |
| 1000+ | 112.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R155CFD7XKSA1 за ціною від 108.69 грн до 282.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R155CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: HIGH POWER_NEWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R155CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R155CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP65R155CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP65R155CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413376 |
товару немає в наявності |