Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R190C6XKSA1
IPP65R190C6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1 Infineon Technologies

ipb65r190c6_2_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R190C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP65R190C6XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON 2577579.pdf Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 2577579.pdf
IPP65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.