Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R190C7
IPP65R190C7

IPP65R190C7 Infineon Technologies

Infineon-IPP65R190C7-DS-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.95 грн
10+153.83 грн
100+106.41 грн
500+89.69 грн
1000+76.76 грн
2500+72.58 грн
5000+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R190C7 Infineon Technologies

Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP65R190C7 за ціною від 231.56 грн до 322.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R190C7 Виробник : Infineon Technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+322.03 грн
40+308.19 грн
50+296.45 грн
100+276.16 грн
250+247.95 грн
500+231.56 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 Виробник : Infineon technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 IPP65R190C7 Виробник : Infineon Technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.