Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R190C7
IPP65R190C7

IPP65R190C7 Infineon Technologies

Infineon_IPP65R190C7_DS_v02_01_en-1731929.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.16 грн
10+183.59 грн
100+126.54 грн
250+120.65 грн
500+102.26 грн
1000+90.49 грн
2500+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R190C7 Infineon Technologies

Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP65R190C7 за ціною від 171.69 грн до 238.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R190C7 Виробник : Infineon Technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+238.77 грн
54+228.51 грн
56+219.81 грн
100+204.76 грн
250+183.84 грн
500+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 Виробник : Infineon technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7 IPP65R190C7 Виробник : Infineon Technologies INFNS27991-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.