Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R190C7FKSA1
IPP65R190C7FKSA1

IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies

3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R190C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP65R190C7FKSA1 за ціною від 134.29 грн до 190.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.52 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.56 грн
10+177.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd01420d92241763c9 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R190C7-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 INFINEON INFNS27991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R190C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.52 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+190.56 грн
10+177.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 Infineon-IPP65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd01420d92241763c9
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 Infineon-IPP65R190C7-DS-v02_01-en.pdf
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 INFNS27991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C7FKSA1 3624ds_ipp65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPP65R190C7FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.