IPP65R190CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 149.69 грн |
| 500+ | 142.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R190CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP65R190CFD7AAKSA1 за ціною від 140.40 грн до 294.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP65R190CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP65R190CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP65R190CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP65R190CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP65R190CFD7AAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 178.79 грн |
| 2000+ | 164.17 грн |
| 3000+ | 153.55 грн |
| 4000+ | 140.40 грн |
| IPP65R190CFD7AAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 266.84 грн |
| 55+ | 257.41 грн |
| IPP65R190CFD7AAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.46 грн |
| IPP65R190CFD7AAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)