IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 262.25 грн |
| 55+ | 259.44 грн |
| 102+ | 138.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R190CFD7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPP65R190CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP65R190CFD7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP65R190CFD7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)