Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R190CFDXKSA2
IPP65R190CFDXKSA2

IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies

3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+163.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP65R190CFDXKSA2 за ціною від 80.36 грн до 281.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R190CFDXKSA2 IPP65R190CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.69 грн
50+124.95 грн
100+113.09 грн
500+86.63 грн
1000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2 IPP65R190CFDXKSA2 Виробник : INFINEON INFNS28185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.66 грн
10+223.05 грн
100+180.72 грн
500+141.35 грн
1000+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf 650V Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2 IPP65R190CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190CFDXKSA2 IPP65R190CFDXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R190CFD_DS_v02_07_en-1485079.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.