IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.06 грн |
| 50+ | 131.46 грн |
| 100+ | 118.98 грн |
| 500+ | 91.14 грн |
| 1000+ | 84.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP65R190CFDXKSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
650V Power Transistor |
товару немає в наявності |
||
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |