IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 103.93 грн |
| 10+ | 97.96 грн |
| 100+ | 92.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP65R225C7XKSA1 за ціною від 73.57 грн до 224.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP65R225C7XKSA1 Код товару: 166076
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP65R225C7XKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IPP65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |