Продукція > INFINEON > IPP65R310CFDXKSA1
IPP65R310CFDXKSA1

IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON

INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.42 грн
10+111.02 грн
100+85.98 грн
500+68.29 грн
1000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPP65R310CFDXKSA1 за ціною від 139.15 грн до 259.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R310CFD_DS_v02_03_en_5b1_5d-1534435.pdf MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.58 грн
10+230.20 грн
100+163.71 грн
500+139.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfd__2_3.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBB9625353B71BF&compId=IPP65R310CFD-DTE.pdf?ci_sign=e939a0d4ccdfde273e5b46a65ead8a2997f171df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfd__2_3.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfd__2_3.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBB9625353B71BF&compId=IPP65R310CFD-DTE.pdf?ci_sign=e939a0d4ccdfde273e5b46a65ead8a2997f171df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.