
IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 145.71 грн |
10+ | 108.27 грн |
100+ | 83.85 грн |
500+ | 66.59 грн |
1000+ | 57.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP65R310CFDXKSA1 за ціною від 135.70 грн до 253.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPP65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |