Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R420CFDXKSA1

IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP65R420CFDXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12818093-3
Price: 27788.85 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
333+	83.45 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP65R420CFDXKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP65R420CFDXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP65R420CFDXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	IPP65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP65R420CFDXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.