IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 85.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP65R420CFDXKSA1 за ціною від 97.46 грн до 136.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A Power dissipation: 83.3W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP65R420CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A Power dissipation: 83.3W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |