IPP65R600C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 39.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R600C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP65R600C6XKSA1 за ціною від 43.31 грн до 78.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 165350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 263850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IPP65R600C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |

