Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R600C6XKSA1
IPP65R600C6XKSA1

IPP65R600C6XKSA1 Infineon Technologies

4210ipd65r600c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.42 грн
25+41.24 грн
50+38.56 грн
100+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R600C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP65R600C6XKSA1 за ціною від 41.20 грн до 46.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP65R600C6XKSA1 IPP65R600C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac74e318c2c70 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 165350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R600C6XKSA1 IPP65R600C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4210ipd65r600c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+46.76 грн
275+44.41 грн
283+43.06 грн
285+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R600C6XKSA1 IPP65R600C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 4210ipd65r600c6_rev.2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R600C6XKSA1 IPP65R600C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac74e318c2c70 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.