на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.15 грн |
| 10+ | 188.82 грн |
| 25+ | 99.14 грн |
| 100+ | 95.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP70N12S311AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP70N12S311AKSA1 за ціною від 139.38 грн до 284.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP70N12S311AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP70N12S311AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS-T Power-Transistor |
товару немає в наявності |