Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP70N12S3L12AKSA1

IPP70N12S3L12AKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP70N12S3L12AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 16790043-3
Price: 22893.72 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 39177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
321+	71.32 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP70N12S3L12AKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPP70N12S3L12AKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP70N12S3L12AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 100+	на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPP70N12S3L12AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	OptiMOS -T Power-Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP70N12S3L12AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.