Продукція > INFINEON > IPP80N03S4L03AKSA1
IPP80N03S4L03AKSA1

IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON

2354662.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.70 грн
10+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP80N03S4L03AKSA1 за ціною від 93.21 грн до 253.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB80N03S4L_02_IPP_DataSheet_v02_00_EN-3362185.pdf MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.44 грн
10+207.62 грн
100+104.95 грн
500+93.94 грн
1000+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPP80N03S4L-03-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fcf9624d1637&redirId=198757 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80N03S4L03AKSA1 - IPP80N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+124.32 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb80n03s4l-02_ipp_i80n03s4l_03_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP80N03S4L-03-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20181fcf9624d1637&redirId=198757 Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.