
IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 254.06 грн |
10+ | 208.12 грн |
100+ | 105.20 грн |
500+ | 94.17 грн |
1000+ | 93.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP80N03S4L03AKSA1 за ціною від 124.62 грн до 124.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP80N03S4L03AKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 53086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IPP80N03S4L03AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IPP80N03S4L03AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |