на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.81 грн |
| 10+ | 237.35 грн |
| 100+ | 165.67 грн |
| 500+ | 136.19 грн |
| 1000+ | 113.72 грн |
| 2500+ | 106.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 190, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPP80N06S209AKSA2 за ціною від 177.72 грн до 276.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 190 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 190 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |