IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies


Infineon_IPP_B80N06S2_09_DS_v01_00_en-1732005.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 190, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPP80N06S209AKSA2 за ціною від 166.71 грн до 224.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80N06S209AKSA2 IPP80N06S209AKSA2 INFINEON 2354676.pdf Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.57 грн
10+199.22 грн
100+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S209AKSA2 Infineon INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S209AKSA2 2354676.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S209AKSA2 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+224.57 грн
10+199.22 грн
100+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S209AKSA2 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.