Продукція > INF > IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07 INF


Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43232455757&ack=t
Виробник: INF
09+ DO-41
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N06S2L-07 INF

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc).

Інші пропозиції IPP80N06S2L-07

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP80N06S2L-07 IPP80N06S2L-07 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43232455757&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L-07 IPP80N06S2L-07 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en-785426.pdf MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L-07 Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43232455757&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L-07 Infineon-IPP_B80N06S2L_07-DS-v01_00-en-785426.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.