Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80N08S406AKSA1
IPP80N08S406AKSA1

IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies

IPx80N08S4-06.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP80N08S406AKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N08S4_06_DataSheet_v01_10_EN-3362894.pdf MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 INFINEON IPx80N08S4-06.pdf Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 Infineon_IPP_B_I80N08S4_06_DataSheet_v01_10_EN-3362894.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPx80N08S4-06.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.