Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80N08S406AKSA1
IPP80N08S406AKSA1

IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies

IPx80N08S4-06.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+128.67 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції IPP80N08S406AKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N08S4_06_DataSheet_v01_10_EN-3362894.pdf MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 INFINEON IPx80N08S4-06.pdf Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 Infineon_IPP_B_I80N08S4_06_DataSheet_v01_10_EN-3362894.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPx80N08S4-06.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.