IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP80P03P4L04AKSA2 за ціною від 106.66 грн до 175.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 28585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 137W Case: TO220 Gate-source voltage: -16...5V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 28585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 175.22 грн |
| 500+ | 157.58 грн |
| 1000+ | 145.82 грн |
| 10000+ | 124.74 грн |
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 106.66 грн |
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
|
Виробник: Infineon
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 124.24 грн |