IPP80R1K2P7XKSA1

IPP80R1K2P7XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS


INFN-S-A0004583972-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80R1K2P7XKSA1 - IPP80R1K2 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R1K2P7XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP80R1K2P7XKSA1 за ціною від 61.11 грн до 142.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 59280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2327427.pdf Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.20 грн
10+93.79 грн
100+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.96 грн
10+89.46 грн
12+78.38 грн
33+74.42 грн
150+73.63 грн
200+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.15 грн
10+111.49 грн
12+94.06 грн
33+89.31 грн
150+88.36 грн
200+87.41 грн
750+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP80R1K2P7_DS_v02_01_EN-1731875.pdf MOSFETs Y
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.76 грн
100+110.13 грн
500+69.85 грн
1000+64.45 грн
2500+63.08 грн
5000+62.02 грн
10000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 88infineon-ipp80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625c167129015c20.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.