Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP80R360P7XKSA1
IPP80R360P7XKSA1

IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPP80R360P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 84W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 30nC, Version: ESD, Kind of package: tube.

Інші пропозиції IPP80R360P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP80R360P7 IPP80R360P7 Infineon Technologies Infineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7
IPP80R360P7
Виробник: Infineon Technologies
Infineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.