Продукція > INFINEON > IPP80R360P7XKSA1
IPP80R360P7XKSA1

IPP80R360P7XKSA1 INFINEON

2327428.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.96 грн
10+114.09 грн
100+112.34 грн
500+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R360P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP80R360P7XKSA1 за ціною від 188.45 грн до 225.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP80R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
6+199.90 грн
16+189.23 грн
50+188.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2767501979750146infineon-ipp80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b42.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP80R360P7_DS_v02_01_EN-1732009.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.